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GaAs Photodetektoren

GaAs-basierte Photodetektoren von OSI

Die FCI-H125/250G-GaAs-100-Serie mit einer aktiven Fläche von 100µm ist eine kompakte Integration unseres Hochgeschwindigkeits-GaAs-Photodetektors mit einem Transimpedanzverstärker mit großem Dynamikbereich. Die Kombination des Detektors mit dem TIA in einem hermetisch abgedichteten 4-Pin TO-46- oder TO-52-Gehäuse bietet ideale Bedingungen für die Hochgeschwindigkeitssignalverstärkung. Geringe Kapazität, niedriger Dunkelstrom und hohe Empfindlichkeit von 650nm bis 860nm machen diese Bauteile ideal für Empfänger mit hoher Bitrate, die in LAN-, MAN- und anderen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen eingesetzt werden. TO-Gehäuse werden standardmäßig mit einer linsenförmigen Kappe zur Verbesserung der Kopplungseffizienz oder mit einer
breitbandigen, doppelseitig AR-beschichteten Flachfenster. Die FCI-H125/250G-GaAs-100-Serie wird auch mit FC-, SC-, ST- und SMA-Buchsen angeboten. 

  • GaAs-Photodetektor / Rauscharmer Transimpedanzverstärker
  • Hohe Bandbreite / Großer Dynamikbereich
  • Hermetisch versiegeltes TO-46-Gehäuse
  • Einzelne +3.3V bis +5V Spannungsversorgung
  • Spektralbereich 650nm bis 850nm
  • Differenzieller Ausgang

Absolute Maximalwerte

PARAMETER

SYMBOL

MIN

MAX

EINHEIT

Lagertemperatur

Tstg

-40

+125

°C

Betriebstemperatur

Top

0

+75

°C

Versorgungsspannung

Vcc

0

+6

V

Optische Eingangsleistung

Pin

+5

dBm

  • Optische Hochgeschwindigkeitskommunikation
  • Gigabit-Ethernet
  • Glasfaserkanal
  • ATM
  • SONET OC-48 / SDH STM-16

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